專門為電子束敏感樣品和需***300萬倍穩定觀察的先進半導體器件，高分辨成像所設計。

特點：

• 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能：
  

• 0.4 nm / 30 kV (SE)
  
• 1.0 nm / 1 kV (SE)
  
• 0.34 nm / 30 kV (STEM)
  

• 用改良的高真空性能和優異的電子束穩定性來實現***率截面觀察；
  
• 采用全新設計的Super ExB能量過濾技術，***、靈活地收集SE / BSE / STEM信號；
  
• 具有電子光學系統自動調整功能；
  
• 可用放大倍數高達 3,000,000 倍；
  
• 全新設計的CFE GUN提供高亮度和極其穩定的發射電流；
  
• 卓越的低電壓性能，適用於觀察光束敏感材料。即使在1.0 kV著陸電壓（帶減速功能選項）下，也能保證0.7 nm的SE分辨率；
  
• 實現光學系統自動調整的新功能和實現自動數據采集的可選功能允許順序數據收集；
  
• 改進的真空技術可實現UHV水平，從而減少樣品汙染；
  
• 精心設計的儀器外殼具有卓越的強度和穩定性，可在各種環境條件下實現高分辨率成像；
  
• 新設計的物鏡可在低加速電壓下實現高分辨率成像；
  
• 側入樣品交換系統通過減少更換樣品所需的時間並自動將樣品定位在當前工作距離來提高通量。