专门为电子束敏感样品和需最大300万倍稳定观察的先进半导体器件，高分辨成像所设计。

特点：

• 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能：
  

• 0.4 nm / 30 kV (SE)
  
• 1.0 nm / 1 kV (SE)
  
• 0.34 nm / 30 kV (STEM)
  

• 用改良的高真空性能和优异的电子束稳定性来实现高效率截面观察；
  
• 采用全新设计的Super ExB能量过滤技术，高效、灵活地收集SE / BSE / STEM信号；
  
• 具有电子光学系统自动调整功能；
  
• 可用放大倍数高达 3,000,000 倍；
  
• 全新设计的CFE GUN提供高亮度和极其稳定的发射电流；
  
• 卓越的低电压性能，适用于观察光束敏感材料。即使在1.0 kV着陆电压（带减速功能选项）下，也能保证0.7 nm的SE分辨率；
  
• 实现光学系统自动调整的新功能和实现自动数据采集的可选功能允许顺序数据收集；
  
• 改进的真空技术可实现UHV水平，从而减少样品污染；
  
• 精心设计的仪器外壳具有卓越的强度和稳定性，可在各种环境条件下实现高分辨率成像；
  
• 新设计的物镜可在低加速电压下实现高分辨率成像；
  
• 侧入样品交换系统通过减少更换样品所需的时间并自动将样品定位在当前工作距离来提高通量。